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感應耦合等離子體刻蝕機-武漢丝瓜app无限安卓

更新時間:2020-11-13

簡要描述:

設備利用射頻天線,通過感應耦合方式在放電腔中產生高密度等離子體,刻蝕工作台同時引入射頻偏壓,在射頻偏壓作用下,等離子體垂直向下對未被掩蔽的被刻蝕材料表麵進行物理轟擊,並與材料表麵發生化學反應,達到對樣品進行化學物理相結合刻蝕的目的。
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品牌其他品牌應用領域醫療衛生,化工,電子

 

感應耦合等離子體刻蝕機技術

 

1. 設備主要原理與功能

設備利用射頻天線,通過感應耦合方式在放電腔中產生高密度等離子體,刻蝕工作台同時引入射頻偏壓,在射頻偏壓作用下,等離子體垂直向下未被掩蔽的被刻蝕材料表麵進行物理轟擊,並與材料表麵發生化學反應,達到對樣品進行化學物理相結合刻蝕的目的

 

2. 設備組成結構

設備主要由高真空刻蝕室、真空獲得係統、真空測量係統、恒壓係統、電源係統、感應耦合電極與勻氣係統、射頻偏壓電極、水冷升降工件台、氣路係統、電氣與全自動控製係統、安全保護及自動報警係統等部分組成

 

3. 設備主要用途與特點

設備適用於大學、研究院所企業研發機構通用的感應耦合等離子體刻蝕的科研與教學

設備刻蝕材料廣泛,包括並不限於單晶矽、非晶矽、多晶矽、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物

采用新型柱狀耦合電極結構,氣體離化率與等離子體密度更高。

可自動在線調節刻蝕距離,適合不同工藝特性。

帶有自動壓力控製係統,刻蝕工藝更穩定。

設備采用全自動化控製。

 

 

4. 設備主要技術指標

4.1 腔體尺寸:Φ300mm*H300mm,經氧化處理的鋁質桶形臥式結構,上蓋自動開閉。

4.2 極限真空度:≤5×10-4Pa;

4.3 係統漏率:5×10-7Pa.l/s

4.4 靜態升壓:係統停泵關機後12小時後,真空度≤5Pa

4.5 係統進清洗充幹燥N2解除真空,短時暴露大氣後抽氣抽至5×10-3Pa時間小於20min,至9×10-4Pa40min

4.6 射頻陰極尺寸:Φ200mm

4.7 刻蝕均勻性:≤±5%(Φ6英寸

4.8 主要工藝氣體配置:SF6、CHF3CF4O2、Ar、N2(視具體刻蝕工藝

4.9 電源配置

耦合電極(上電極):13.56MHz,1000W,自動匹配

偏壓電極(下電極):13.56MHz,600W,自動匹配

4.10 自動壓力控製係統:包含

4.11 刻蝕距離自動調節範圍:20mm-80mm,調節精度:1mm

4.12 水冷工作台溫度:<15

4.13 腔壁冷卻:包含

4.14 控製方式:基於PLC及工控機的全自動半自動控製方式

4.15 包含安全報警係統

 

5. 設備主要配置

5.1 真空刻蝕腔體、樣品架係統、一體機架、輔助設施,1套(定製

5.2 分子泵1台,抽速600L/s(北京中科科儀KYKY)

5.3 直連旋片式真空泵1台,抽速8L/s(日本真空獨資寧波愛發科)

5.4 超高真空電動調節插板閥1台,Φ150mm(北京中科科儀KYKY)

5.5 真空測量係統1套成都睿寶/成都正華

5.6 自動壓力控製係統1套(創世威納,含進口薄膜真空計(德國INFICON

5.7 射頻電源及自動匹配器: 1000W,1套(美國ceres;600W,1套(美國ceres

5.8 質量流量控製器:6台(北京七星華創

5.9 工藝氣路:6條(定製配套

5.10 射頻耦合電極及射頻引入器1套(定製

5.11 可調距離射頻陰極及射頻引入器1套(定製

5.12 自動控製係統1套。PLC及模塊(德國西門子、工控機(研華工控、顯示器(飛利浦

5.13 空氣壓縮機1台(上海岱洛)

5.14 冷卻循環隨機1台(同洲維普)

 

 

6. 設備外形尺寸、重量

L1200mm*W900mm*H1600mm,500Kg

 

7. 設備使用條件

7.1配電箱:

AC380V  60A  5KW三相線製。

留有380V  40A空開一個

AC220V  10A三頭萬能插座一個

AC220V  16A三頭萬能插座一個

7.2排氣接口:∮40mm接口兩個。

7.3接地要求:接地電阻≤4Ω。

7.4工藝氣體進氣口規格1/4″不鏽鋼管,雙卡套連接

7.5工藝氣體與配套減壓閥(視工藝而定。例如:O2、Ar、N2等。

 

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