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ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

更新時間:2020-11-16

簡要描述:

本設備為單室高真空係統,它主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、射頻電源係統、冷卻係統、報警係統等組成。
ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

型號:點擊量:31
品牌其他品牌產地類別國產
應用領域醫療衛生,化工,電子

 一.  係統描述

本設備為單室高真空係統,它主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、射頻電源係統、冷卻係統、報警係統等組成。

    真空係統由一個分子泵(抽速600升/秒)+ 一個直聯旋片式真空泵(抽速9升/秒)組成抽氣係統, 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個手動插板閥, 直聯旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不鏽鋼硬管及波紋管連接, 並裝有電磁氣動隔斷閥。

射頻電源采用國產雙電源控製。

氣路係統采用四個質量流量控製器控製四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不鏽鋼硬管,管路接頭連接形式采用雙卡套連接。

本設備設有安全保護及報警係統。

二. 技術指標

1.極限真空度:  9×10-5Pa(環境濕度≤55%)

2. 刻蝕材料:   Si, SiO2, Si3N4等

3. 刻蝕速率:  0.01 ~ 2μ/min

  4. 刻蝕均勻性: ≤±5% (φ120mm範圍內)

5. 電極尺寸:   φ200mm

6. 反應室尺寸:φ300×280mm

三.設備配置

1. 真空泵源:  分子泵一台(抽速600升/秒)

               直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒)

2.真空閥門: 150口徑氣動插板閥壹個

           40口徑高真空電磁氣動隔斷閥兩個

           機械泵口壓差閥壹個

3. 射頻功率源:  射頻電源(國產)二套

4. 氣路係統:   四台質量流量計(國產)控製四路進氣

5. 真空測量: 複合真空計一台

 

ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

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