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全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)

更新時間:2020-11-16

簡要描述:

本設備為單室高真空係統,它主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、射頻電源係統、自動控製係統、冷卻係統、報警係統等組成。
全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)

型號:點擊量:37
品牌其他品牌產地類別國產
應用領域醫療衛生,化工,電子

 . 係統描述

本設備為單室高真空係統,它主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、射頻電源係統、自動控製係統、冷卻係統、報警係統等組成。

    真空係統由一個分子泵(抽速600升/秒)+ 一個直聯旋片式真空泵(抽速9升/秒)組成抽氣係統, 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個電動可調節閥電動插板閥, 直聯旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不鏽鋼硬管及波紋管連接, 並裝有電磁氣動隔斷閥。

本設備配有下遊恒壓控製係統,通過薄膜規測量(進口件),可調節閥控製,使真空室達到恒壓,從而提高工藝穩定性。

射頻電源采用進口RF500W及RF1000W雙電源控製,帶自電動匹配。

氣路係統采用四個質量流量控製器(國產)控製四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不鏽鋼硬管(進口件),管路接頭連接形式采用雙卡套連接(進口件)。

自動控製係統采用PLC控製、17寸觸摸顯示屏操作,實現真空係統及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。

本設備設有安全保護及報警係統。

二. 技術指標

1.極限真空度:  9×10-5Pa(環境濕度≤55%)

2. 刻蝕材料:   SiO2、 Si3N4、深刻Si等

3. 刻蝕速率:  0.01 ~ 2μ/min

  4. 刻蝕均勻性: ≤±5% (φ125mm範圍內)

5. 電極尺寸:   φ200mm

6. 反應室尺寸:φ300×280mm(約)

7. 樣片尺寸:≤ 5〞(小於5吋的不規則樣片都可)

三.設備配置

1. 真空泵源:   分子泵壹台(抽速600升/秒)

TRP-36直聯旋片式真空泵壹台

2.真空閥門:   150口徑氣動插板閥壹個

           40口徑高真空電磁氣動隔斷閥兩個

           機械泵口壓差閥壹個

3. 射頻功率源: RF500W, RF1000W射頻電源各一套

4. 氣路係統:   四台質量流量控製器(國產)控製四路氣體進氣

    閥門:   五台1/4英寸氣動閥

5. 真空測量:  複合真空計一台(成都睿寶電子儀器有限公司出品)

6. 恒壓係統: 薄膜規一個(進口), 可調節閥一套(國產)

7. 自動控製係統一套

工控機一台 

17寸液晶顯示器及觸摸屏一套 

PLC控製器一套

 全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)

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